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產品簡介
符合 RoHs 標準的 918D 系列光電二極管傳感器是校準光電二極管傳感器，有著可提高性能的高級功能。在市場上具有最小的校準不確定性用于熱漂移補償的內部溫度傳感器集成衰減器，可選擇范圍為 10X 到 1000X衰減器開/關傳感器自由空間和光纖測量符合 RoHS 標準
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| 型號 | 光譜范圍 | 最大測量功率1 | 最小測量功率2 |
| 918D-IG-OD1R光學功率探測器，銦鎵砷，800-1650 nm，OD1 衰減器 | 800 – 1650 nm | 100 mW | 20 pW |
| 918D-IG-OD2R光學功率探測器，銦鎵砷，800-1650 nm，OD2 衰減器 | 800 – 1650 nm | 1000 mW | 20 pW |
| 918D-IG-OD3R光學功率探測器，銦鎵砷，800-1650 nm，OD3 衰減器 | 800 – 1650 nm | 2000 mW | 20 pW |
| 918D-IR-OD1R光學功率探測器，銦鎵砷，800-1650 nm，OD1 衰減器 | 780 – 1800 nm | 100 mW | 5 nW |
| 918D-IR-OD2R光學功率探測器，鍺，780-1800 nm，OD2 衰減器 | 780 – 1800 nm | 1000 mW | 5 nW |
| 918D-IR-OD3R光學功率探測器，鍺，780-1800 nm，OD3 衰減器 | 780 – 1800 nm | 2000 mW | 5 nW |
| 918D-SL-OD1R光學功率探測器，硅，400-1100 nm，OD1 衰減器 | 400 – 1100 nm | 40 mW | 20 pW |
| 918D-SL-OD2R光學功率探測器，硅，400-1100 nm，OD2 衰減器 | 400 – 1100 nm | 400 mW | 20 pW |
| 918D-SL-OD3R光學功率探測器，硅，400-1100 nm，OD3 衰減器 | 400 – 1100 nm | 2000 mW | 20 pW |
| 918D-UV-OD3R紫外硅探測器，200-1100 nm，OD3 衰減器 | 200 – 1100 nm | 200 mW | 20 pW |
與 1830-R、1918-R、1936-R 或者 2936-R 臺式光功率計一起使用時。
與 1936-R 或者 2936-R 臺式光功率計一起使用時。
光電二極管的一個自然特性是其光學響應隨半導體材料帶隙附近的溫度變化而變化。Newport的918D系列傳感器在光電二極管附近有一個熱電偶，它允許特定的Newport儀表讀取溫度并自動調整響應速度，確保準確的測量。
光電二極管傳感器的最大可測量功率取決于多種因素，例如入射光的波長、光電二極管電流輸出飽和度、溫度、衰減器的使用和功率計的最大電流輸入值。 Newport 提供基于功率計型號的最大功率規格，帶或不帶衰減器，以及與波長相關的最大功率電平。 考慮到這些影響可測量功率的因素，為您的應用選擇合適的探測器至關重要。
918D 系列光電二極管探頭通過優良功能提升性能，旨在使其優于 Newport 經過業內驗證的 818 系列校準光電二極管探頭。它們具有集成的校準數據存儲器、內置 OD1、OD2 或 OD3 衰減片（帶有電子衰減片開/關傳感器）以及用于溫度漂移補償的傳感電子器件（可使探測器在溫度變化時測量更為準確）。
OD3 衰減技術將我們探測器的校準光學動態范圍擴展了三個數量級。我們的衰減器設計提供高損傷閾值和光譜平坦度。通過與 Newport 正在使用的光電二極管相關聯的低 NEP，實現了更寬的動態范圍。對于小于 1 mW 的輸入功率，我們建議將衰減器置于 OFF 位置（對于 918D-UV-OD3R 在 200 – 400 nm 之間則為 0.1 mW），使信噪比達到最大。該衰減器的通光孔徑為 10.3mm。
918D 系列包括一個采用 NIST 可追溯標準，利用 Newport 光學探頭校準設施維護的高精度設備完成的全光譜響應校準。嚴格的校準設備和過程控制可實現業內超嚴格的校準不確定性。每個探頭都附有校準數據，這些數據以電子形式存儲在探測器的 EEPROM 中。每個探頭都附有校準證書以及衰減器模式和無衰減器模式下的實際校準曲線和數據。為了保持精度、保證性能，Newport 建議每年對光電二極管探頭進行校準。
探測頭上的內部溫度傳感器用于補償光電二極管溫度變化引起的響應度漂移。響應度變化在帶隙附近最敏感，功率計計算溫度并自動更新響應度值，以便測量保持準確。1936-R、2936-R、1919-R和841-PE-USB型功率計啟用此功能。
這些光電二極管傳感器可以轉換為測量連接光纖或裸光纖的光功率。Newport提供了一套全面的旋入式光纖轉接件可匹配多種連接器類型。我們的裸光纖支架和轉接件支架設計在一起，可容納250-µm裸光纖，并且不會損壞光纖。
光電二極管由一個類似于激光二極管和LED的半導體p-n結組成。然而，所涉及的基本輻射過程是吸收。落在p-n結上的光子導致電子-空穴對的形成。在光伏模式下，電子-空穴對遷移到p-n結的兩側，從而產生電壓。半導體光子源和光子探測器之間的一個關鍵區別是前者需要使用直接帶隙半導體，而后者可以使用間接帶隙半導體。由于能量和動量守恒需要同時滿足，間接帶隙半導體中光子發射的可能性大大降低，但吸收的情況并非如此。當電子在導帶中被激發到一個高水平，隨后在弛豫過程中其動量轉移到聲子，一個容易實現的兩步過程將會實現。由于這一過程可以是連續的，因此它比兩個步驟必須同時發生的發射過程更有可能發生。
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